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简并半导体的简并化半导体

一般情况下,ND

1、 简并半导体的载流子浓度:对于n型半导体,施主浓度很高,使费米能级接近或进入导带时,导带底附近底量子态基本上已被电子占据,导带中底电子书目很多, 的条件不能成立,必须考虑泡利不相容原理的作用。这时,不能再用玻耳兹曼分布函数,必...

硅、锗在室温下发生简并的施主杂质浓度或受主浓度约在10的18次方cm-3以上。室温时,p型砷化镓发生简并的施主杂质浓度约在10的18次方cm-3以上,而对n型砷化镓发生简并的施主杂质浓度只要超过10的17次方cm-3 对一般的掺杂情况(杂质浓度小于10的18...

半导体发生简并对应一个温度范围:用图解的方法可以求出半导体发生简并时,对应一个温度范围。这个温度范围的大小与发生简并时的杂质浓度及杂质电离能有关:电离能一定时,杂质浓度越大,发生简并的温度范围越大;发生简并的杂质浓度一定时,杂...

采用复杂的量子统计分布函数来讨论,其中载流子遵从经典的Boltzmann统计分布的半导体就是非简并半导体。 另,载流子即容易出现量子特性,这时的载流子就是简并载流子。 以简并载流子导电为主的半导体就是简并半导体,否则,若是以非简并载流子导...

可以

采用复杂的量子统计分布函数来讨论,其中载流子遵从经典的Boltzmann统计分布的半导体就是非简并半导体。 另,载流子即容易出现量子特性,这时的载流子就是简并载流子。 以简并载流子导电为主的半导体就是简并半导体,否则,若是以非简并载流子导...

PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。 PN结(PN junction) 一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时。

如果学过量子力学、热力学与统计物理的话,简并与非简并就很好理解了 简并有两种:①能级的简并、②状态的简并,半导体中的简并具有这两方面的意义(但是一般半导体基础的书上只将第二个作为定义),简单来说: 能级的简并就是微粒运动状态不同,...

以下是个人观点:p n 不敢理解可以换成别的 多子和少子是相对而言的例如钠离子:na+ 原子比电子多1 所以空穴为多子

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