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场效应管 参数 型号 标识 问题

你买的两个场效应管是一样的,没有区别。因为决定一个管子的性能参数的型号是: PHB 95N03LT,最关键的是95N03LT这个部分,它决定了参数是25伏,75安,125瓦。 PHB的意思是管壳封装为SOT404形式。 后面的其它标记是飞利浦公司自己内部制定的序列...

型号:BTB04600SL 名称:双向可控硅 额定电压/电流:600V/4A 下面如图是他的引脚定义,按个就可以区分引脚的序号,也就知道如何焊的问题了。

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。 两种命名方法: 第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘...

HQPF 是仙童公司(Fairchild半导体公司) 制造商 零件编号: 7N60 种类: MOSFET 沟道类型:N 最大耗散功率 (Pd): 142 漏源电压 (Uds): 600 栅源电压 (Ugs): 30 漏极电流 (Id): 7.4 最大工作温度 (Tj), °C: 150 导通上升时间 (tr): 180 输出电容 (Cd)...

根据我几年的PC主板维修经验: MOSFET 在PC主板上用的很多,多用来转换电压,我不知道你的主板具体是那个坏了,但是我建议你如果要自己换的话,一定要相同厂商相同型号的,不然很可能会再次烧板,因为PC上某些位置对MOSFET的性能要求很精确,尤...

缩略符号在不同应用处,可能会有多种。FET等都可能会标注。 Q一般是三极管的符号,但有些图不按照国标行业标准绘制。

箭头向内看作pnp (外面是p)所以是n沟道 箭头向外看作npm(里面是p)所以是p沟道

两个都是N沟道的IGBT型的高压大功率场效应管,两个管子参数一样:VCES=1200伏,VCE(ON)TYP=2.78伏,VGE=15伏,IC=24安培。G4PH50UD 的集电极与发射极之间有一个二极管并联,G4PH50U没有二极管并联。 你如果打算仔细研究其他参数、特性曲线等等,...

这个管子所标出的是它本身的耗散功率。也是指的这只功率管自身能承受和耗散的功率(含按它要求上的散热器后)。

这管子电流已经超级大了,在换更大的恐怕有些困难呢。用AUIRF3805L-7P,55V240A的一只替代两只,但成本和采购可能会有问题。IRF3205-0.78美金,AUIRF3805L-7P-2.25美金;

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